Небуферизованная память Long-DIMM и SO-DIMM с более низким рабочим напряжением (1.35В) обеспечивают экономию энергии, по сравнению со стандартными модулями памяти, которые работают при напряжении 1.5В. DRAM модуль Тип RAM DDR3 Тип DIMM Unbuffered SO-DIMM Скорость 1333 Тайминги CL9 Емкость 4GB Ранг 2Rx8 DRAM (256Mx8)x16 Напряжение 1.35V Пин 204 pin Высота печатной платы 1.18 дюймов
Изображения и характеристики товара могут отличаться от реальных параметров.
Пожалуйста, уточняйте информацию у менеджера.
